屏蔽電纜的屏蔽層為什么不能重復(fù)接地？
屏蔽層接地通常采用兩種方式來處理：屏蔽層單端接地和屏蔽層雙端接地。
（1）屏蔽層單端接地是在屏蔽電纜的一端將金屬屏蔽層直接接地，另一端不接地或通過保護(hù)接地。
在屏蔽層單端接地情況下，非接地端的金屬屏蔽層對地之間有感應(yīng)電壓存在，感應(yīng)電壓與電纜的長度成正比，但屏蔽層無電勢環(huán)流通過。單端接地就是利用抑制電勢電位差達(dá)到消除電磁干擾的目的。
這種接地方式適合長度較短的線路，電纜長度所對應(yīng)的感應(yīng)電壓不能超過安全電壓。靜電感應(yīng)電壓的存在將影響電路信號的穩(wěn)定，有時可能會形成天線效應(yīng)。
（2）雙端接地是將屏蔽電纜的金屬屏蔽層的兩端均連接接地。
在屏蔽層雙端接地情況下，金屬屏蔽層不會產(chǎn)生感應(yīng)電壓，但金屬屏蔽層受干擾磁通影響將產(chǎn)生屏蔽環(huán)流通過，如果地點(diǎn)A和地點(diǎn)B的電勢不相等，將形成很大的電勢環(huán)流，環(huán)流會對信號產(chǎn)生抵消衰減效果。
屏蔽電纜的屏蔽層為什么不能重復(fù)接地
系統(tǒng)接地有浮地、直接接地和電容接地三種方式。
對PLC控制系統(tǒng)而言，它屬高速低電平控制裝置，應(yīng)采用直接接地方式。由于信號電纜分布電容和輸入裝置濾波等的影響，裝置之間的信號交換頻率一般都低于1MHz，所以PLC控制系統(tǒng)接地線采用一點(diǎn)接地和串聯(lián)一點(diǎn)接地方式。
集中布置的PLC系統(tǒng)適于并聯(lián)一點(diǎn)接地方式，各裝置的柜體中心接地點(diǎn)以單獨(dú)的接地線引向接地極。如果裝置間距較大，應(yīng)采用串聯(lián)一點(diǎn)接地方式，用一根大截面銅母線(或絕緣電纜)連接各裝置的柜體中心接地點(diǎn)，然后將接地母線直接連接接地極。接地線采用截面大于25mm2的銅導(dǎo)線，總母線使用截面大于60mm2的銅排。接地極的接地電阻小于2Ω，接地極zui好埋在距建筑物10～15m遠(yuǎn)處，而且PLC系統(tǒng)接地點(diǎn)須***與強(qiáng)電設(shè)備接地點(diǎn)相距10m以上。
信號源接地時，屏蔽層應(yīng)在信號側(cè)接地；不接地時，應(yīng)在PLC側(cè)接地；信號線中間有接頭時，屏蔽層應(yīng)牢固連接并進(jìn)行絕緣處理，一定要避免多點(diǎn)接地。多個測點(diǎn)信號的屏蔽雙絞線與多芯對絞總屏蔽電纜連接時，各屏蔽層應(yīng)相互連接好，并經(jīng)絕緣處理，選擇適當(dāng)?shù)慕拥靥巻吸c(diǎn)接地。
強(qiáng)電系統(tǒng)需要重復(fù)接地,如電力電纜的鋼鎧要接地、PE線要接地、而且在配電室內(nèi)有、在現(xiàn)場也有。DCS中規(guī)范有明確要求、屏蔽層須***單點(diǎn)接地、如果重復(fù)接地了、實際不可能有******等電位、易形成回路、大地的雜散電流會直接干擾到儀表信號。
總結(jié)：
（1）兩端的接地點(diǎn)難保沒有電位差，有電位差就會有微弱電流，使屏蔽層實際上變成了接地線。
（2）兩端接地的屏蔽線工作于高頻干擾較為嚴(yán)重地工作現(xiàn)場，會因屏蔽層和內(nèi)部信號線間形成的線電容耦合到信號回路，嚴(yán)重的將影響信號誤判。
（3）各種調(diào)速器和PLC說明中都明確信號線屏蔽層須***單端接地并且接地端應(yīng)該在控制器一側(cè)。
國家規(guī)范：
《GB 50217-1994電力工程電纜設(shè)計規(guī)范》——3.6.8 控制電纜金屬屏蔽的接地方式，應(yīng)符合下列規(guī)定：
（1）計算機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)的模擬信號回路控制電纜屏蔽層，不得構(gòu)成兩點(diǎn)或多點(diǎn)接地，宜用集中式一點(diǎn)接地。
（2）除（1）項等需要一點(diǎn)接地情況外的控制電纜屏蔽層，當(dāng)電磁感應(yīng)的干擾較大，宜采用兩點(diǎn)接地；靜電感應(yīng)的干擾較大，可用一點(diǎn)接地。雙重屏蔽或復(fù)合式總屏蔽，宜對內(nèi)、外屏蔽分用一點(diǎn)，兩點(diǎn)接地。
（3）兩點(diǎn)接地的選擇，還宜考慮在暫態(tài)電流作用下屏蔽層不致被燒熔。
《GB50057-2000建筑物防雷設(shè)計規(guī)范》——第6.3.1條規(guī)定：……當(dāng)采用屏蔽電纜時其屏蔽層應(yīng)至少在兩端等電位連接，當(dāng)系統(tǒng)要求只在一端做等電位連接時，應(yīng)采用兩層屏蔽，外層屏蔽按前述要求處理。
